1. Reduzieren Sie die Porosität. Die Bildungsgeschwindigkeit des Kristallkerns ist schneller als die Wachstumsrate, was die Verfeinerung des Kristallkerns fördert.
2. Verbessern Sie die Bindungskraft und sorgen Sie dafür, dass der Passivierungsfilm abbricht, was der festen Verbindung zwischen dem Substrat und der Beschichtung förderlich ist.
3. Verbessern Sie die Abdeckungs- und Streufähigkeit. Das hohe negative Potenzial der Kathode ermöglicht die Abscheidung der passivierten Teile der gewöhnlichen Galvanisierung und verlangsamt das „Verbrennen“ und „Dendritieren“ der hervorstehenden Teile komplizierter Teile aufgrund des übermäßigen Verbrauchs der abgelagerten Ionen. Abgelagerte Defekte können auf 1/3–1/2 der ursprünglichen Dicke reduziert werden, um eine bestimmte charakteristische Beschichtung (z. B. Farbe, keine Porosität usw.) zu erhalten, wodurch Rohstoffe gespart werden.
4. Reduzieren Sie die innere Spannung der Beschichtung, verbessern Sie Gitterfehler, Verunreinigungen, Hohlräume, Tumore usw., erhalten Sie leicht eine rissfreie Beschichtung und reduzieren Sie Zusatzstoffe.
5. Es ist vorteilhaft, eine Legierungsbeschichtung mit stabiler Zusammensetzung zu erhalten.
6. Verbessern Sie die Auflösung der Anode ohne Anodenaktivator.
7. Verbessern Sie die mechanischen und physikalischen Eigenschaften der Beschichtung, wie z. B. Erhöhung der Dichte, Verringerung des Oberflächen- und Volumenwiderstands, Verbesserung der Zähigkeit, Verschleißfestigkeit und Korrosionsbeständigkeit sowie Kontrolle der Härte der Beschichtung.
Herkömmliche Galvanisierung hat keinen Einfluss auf die Unterdrückung von Nebenwirkungen, die Verbesserung der Stromverteilung, die Anpassung des Flüssigphasen-Massentransferprozesses und die Kontrolle der Kristallorientierung. Die Forschung zu Komplexbildnern und Additiven hat sich zur Hauptrichtung der galvanischen Prozessforschung entwickelt.
